存储芯片股集体大涨,美光、闪迪带动新晋ETF大幅走高

  美光、闪迪等存储芯片个股行情火热,也带动朗希尔存储芯片 ETF(代码 DRAM) 大涨。这只新晋 ETF 主打全面把握行业景气行情 、赚取收益 。

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  产品概况

  该 ETF 是全球首只纯存储芯片主题 ETF,于 4 月 2 日正式上市交易。其前五大重仓股均为 2026 年热门强势标的:SK 海力士、美光科技 、三星电子 、铠侠控股以及闪迪。

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  这只 ETF 自上市以来股价持续走高 。

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  据《科比西快讯》统计 ,该产品上市至今涨幅约 85%,上市仅 30 个交易日,资产规模就突破 100 亿美元 ,成为史上增长速度最快的 ETF 。

  在全美 5000 余只上市 ETF 中,它的年内资金流入规模跻身前十;交易活跃度也从 5 月初的第 34 位攀升至全市场前 20。

  行业背景

  美国人工智能领域资本开支热潮持续传导至闪迪 、美光等一众存储芯片企业。亚马逊等超大规模云厂商大举建设人工智能数据中心,市场对存储芯片的需求随之激增 。人工智能模型需要海量数据支撑高效运行 ,而存储芯片正是负责数据存储与传输的核心器件。

  目前,存储芯片已成为人工智能供应链中供给最紧张的环节之一,相关企业得以通过提价提升利润。

  美光科技运营负责人马尼什・巴蒂亚上周在摩根大通举办的会议上表示:“受长期结构性因素影响 ,当前市场需求持续超出企业及全行业的供货能力 。我们预计,高带宽内存(HBM)、动态随机存取存储器(DRAM)以及闪存(NAND)的供应紧张局面,在 2026 年之后仍将长期延续。 ”

  总结

  整体来看 ,存储芯片板块目前利好因素十足。但高热度也意味着市场预期抬升、投资风险加大(近期美债收益率走高就曾引发板块短期抛售) 。投资者需保持警惕,并做好资产分散配置。

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